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薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)

型 號(hào)GDAT-A

更新時(shí)間2024-11-21

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

產(chǎn)品概述

薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)儀器的技術(shù)指標(biāo)

  1.Q值測(cè)量

 

   a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。

   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

 c.標(biāo)稱誤差

項(xiàng)    目

GDAT-A

頻率范圍

1kHz~10MHz;

固有誤差

≤5%±滿度值的2%;

工作誤差

≤7%±滿度值的2%;

頻率范圍

10MHz~60MHz;

固有誤差

≤6%±滿度值的2%;

工作誤差

≤8%±滿度值的2%。

 

 

 

 2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H 

 

3.電容測(cè)量:1~ 460

項(xiàng)    目

GDAT-A

直接測(cè)量范圍

1~460pF

主電容調(diào)節(jié)范圍

準(zhǔn)確度

30~500pF

150pF以下±1.5pF;

150pF以上±1%

   注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則

 4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍

項(xiàng)     目

GDAT-A

頻率范圍

10MHz~160MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~160MHz     

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

 

 

 

5.Q合格指示預(yù)置功能

預(yù)置范圍:5~1000。

 

 6.Q表正常工作條件

 a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃

b.相對(duì)濕度:<80%; 

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

  a.消耗功率:約25W;  

b.凈重:約7kg;  

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

8.產(chǎn)品配置:

a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);

b.電感9只;

c.夾具一 套 

                附表    電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào)

測(cè)試頻率

Q

分布電容p

電感值

9

100KHz

98

9.4

25mH

8

400KHz

138

11.4

4.87mH

7

400KHz

202

16

0.99mH

6

1MHz

196

13

252μH

5

2MHz

198

8.7

49.8μH

4

4.5MHz

231

7

10μH

3

12MHz

193

6.9

2.49μH

2

12MHz

229

6.4

0.508μH

1

25MHz

50MHz

233

211

0.9

0.125μH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)滿足標(biāo)準(zhǔn):

GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

 

 

 

 

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,

還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),

可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,

為提高材料的性能提供依據(jù);

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,

標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,

數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,

使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),

使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。

儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,

電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,

電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

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